真空計種類：波爾登、熱電偶、電阻、冷陰極、熱陰極等等

半導體產品的加工過程主要包括晶圓制造、封裝、測試。

半導體是指在常溫下導電性能介于絕緣體與導體之間的材料。

離子源是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。

半導體晶體可分為單晶和多晶，若在整塊材料中，原子都是規則的、周期性的重復排列的，一種結構貫穿整體，這樣的晶體稱為單晶，如石英單晶，硅單晶，巖鹽單晶等。

鍍膜機相關組成及各部件：機械泵、增壓泵、油擴散泵、冷凝泵、真空測量系統.

在高真空下，電子槍燈絲加熱后發射熱電子，被加速陽極加速，獲得很大的動能轟擊到的蒸發材料上

殘余氣體分析儀(RGA)是一種質譜儀，可幫助確定殘留在不完全真空室中的物質的組成。

質量流量控制器, 即Mass Flow Controller（縮寫為MFC）, 不但具有質量流量計的功能，更重要的是，它能自動控制氣體流量，即用戶可根據需要進行流量設定

真空鍍膜是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術，為科學研究和實際生產提供薄膜制備的一種新工藝。

在真空度較高的環境下，通過加熱或高能粒子轟擊的方法使源材料逸出沉積物質粒子（可以是原子、分子或離子），這些粒子在基片上沉積形成薄膜的技術。

相對于 LCD 來說, OLED具有自發光、不需背光 源、對比度高、厚度薄、質量輕、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單 等優異特性, 被認為是下一代平面顯示器件的重點發展方向之一, 因此受到越來越多人的關注。

化學氣相沉積CVD是氣態反應物在一定條件下，通過化學反應，將反應形成的固相產物沉積于基片表面，形成固態薄膜的方法。

金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是從早已熟知的化學氣相沉積（CVD）發展起來的一種新的表面技術。是一種利用低溫下易分解和揮發的金屬有機化合物作為源物質進行化學氣相沉積的方法

隨著微電子行業的發展, 集成度不斷提高、器件尺寸持續減小, 使得許多傳統微電子材料和科技面臨巨大挑戰, 然而原子層沉積(ALD)技術作為一種優異的鍍膜技術

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指等離子體增強化學的氣相沉積法，是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體

MBE技術是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長外延薄層的技術?，F代MBE生長系統的背景真空度可達1.33×10-10Pa，分子束與分子束以及分子束與背景分子之間不發生碰撞。

O型密封橡膠圈簡稱O型圈，是一種截面形狀為圓形的橡膠圈，主要用于機械部件在靜態條件下防止液體和氣體介質泄露的密封件。

真空：什么是真空？

真空—從字面上解釋，就是一定空間內的空氣全部抽空，然而，至今為止，沒有人能成功地做到這一點。根據科學試驗得出結論，高真空也就在10-14torr范圍內。

1.薄膜技術

IC中的薄膜

從粗真空到極高真空，根據應用特點的不同，每一個真空范圍會適應一種或多種真空測量設備。

潔凈室工程是半導體集成電路制造環節中重要的一環，直接決定了終產品的成敗。半導體技術飛速發展，精度不斷提高，對生產環境的潔凈度提出了新的要求，潔凈技術開始騰飛，也將迎來新一輪的成長與爆發。

當生產廠房內的氣體儲量超過規定數量時，應設計獨立的特種氣體站。如硅烷站、三氟化氮站、氨氣站等。

手動閥門

Physical Vapor Deposition(PVD)亦稱為物理氣象沉淀技術。

保留于大氣中的材料表面普遍會受到污染，表面上任何一種無用的物質或能量都是污染物。常見的有害污染物是塵埃、碳氫化物、氯化物、硫化物和氟化物。

GWP又稱全球增溫潛勢，是基于充分混合的室溫氣體輻射特性的一個指數，用于衡量相對于二氧化碳的，在所選定時間內進行積分的，當前大氣中某個給定的充分混合的溫室氣體單位質量的輻射強迫。

在真空狀態下，氣體的稀薄程度通常用氣體的壓力值來表示，顯然，該壓力值越小則表示氣體越稀薄。真空度或氣壓有多種單位，比如 kPa, Torr，mbar 等等，這些單位之間如何換算？

離子源起源于冷戰時期的美蘇爭霸，理論計算表明離子源做空間推進器能量密度大于常規液

氫推進器。美國的研究以NASA的Kaufnan教授主持設計的帶柵網的

離子注入是一種向襯底中引入可控制數量的雜質，以改變其電學性能的方法；是一個物理過程，不發生化學反應。

美國國家標準與技術研究院 (NIST) 的研究人員發明的一種基于量子的新型真空計系統已經通過了第    一次測試。此標準本質上是準確的，無需校準，它的出現將成為真正意義上的基礎標準。

濺射、蒸鍍、真空離子渡、磁控濺射等。

光學薄膜有改變電磁波的路徑的特性  光學薄膜很薄時就會產生干涉，當光學薄膜很厚時就產生不了干涉當我們把很薄的膜組合起來就有很多新的特性產生

真空計又稱規，是測量真空度或氣壓的儀器。一般利用不同氣壓下的某種物理效應的變化進行氣壓的測量。

為了保證真空設備或系統具有良好的密封性能，僅僅在設備安裝完畢后去尋求漏孔的位置，堵塞漏孔的通道是遠遠不夠的。有必要在真空設備或系統的設計、制造、調試、使用各個環節隨時進行真空檢漏工作。

在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發(或濺射），使其沉積在被涂覆的物體(稱基片、基板或基體）上的方法稱為真空鍍膜法。下面將簡介真空鍍膜技術的主要問題與解答。

高真空鍍膜機是目前制作真空條件應用廣泛的設備。其相關組成各部件：機械泵、增壓泵、油擴散泵、冷凝泵、真空測量系統。

ALD技術的主要優勢

前驅體是飽和化學吸附，保證生成大面積均勻性的薄膜

可生成極好的三維保形性化學計量薄膜，作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層

電子槍是加速電子轟擊靶屏發光的一種裝置，它發射出具有一定能量、一定束流以及速度和角度的電子束。

在醫藥生產中，涉及到真空分離粗抽、有機溶劑低真空回收、高沸點熱敏材料高真空蒸餾、固體雜質去除真空過濾、粉末中間體或產品真空干燥等多種真空分離工藝。

機械泵的主要作用是為渦輪分子泵的啟動提供必要的前級真空。常用的機械泵主要包括渦旋干泵、隔膜泵和油密封機械泵。

真空獲得設備：產生、改善或維持真空的裝置。包括各種獲得粗、低、中、高及超高的真空泵和真空機組。

分子泵是利用高速旋轉的轉子把動量傳輸給氣體分子，使之獲得定向速度，從而被壓縮、被驅向排氣口后為前級抽走的一種真空泵。

光學薄膜技術的分類：物理氣相沉積俗稱真空鍍膜，設計物理特性間的能量轉換等等?；瘜W氣相沉積主要是通過相關物質的化學反應而形成滿足功能需求的致密層。